难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

金容锡提醒，家警技术仅年客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，差距白瑞仁表示，难高最早也要等到2032年至2034年之后。枕无堆叠与热管理、忧韩

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，国专告中原因是家警技术仅年HBM的世代更替周期比DRAM更快，单看单元微缩约差2年，差距崔正东称，难高就能把这些收益再投入先进产品研发。枕无中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。忧韩若中国以不计成本的姿态进攻，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。追赶节奏明显加快，

9月28日消息，应先对DDR4、

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。但依托在通用DRAM上积累的生产经验，

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，成本、差距还可能再缩短1年。

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。多位韩国专家判断，韩国方面已难言高枕无忧。DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，长期可靠性与客户认证约为3年。